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价格(含税)
资料
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描述:
射频MOSFET行射频功率场效应晶体管N沟道增强型MOSFET The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
3505
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描述:
MOSFET晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
3629
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描述:
射频功率场效应晶体管150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
6199
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描述:
Hemt n-Ch 28V 65W 3300-3800MHz
1680
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描述:
Hemt n-Ch 48V 100W Dc-2.2GHz
3817
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描述:
RF JFET Transistors DC-2GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
3769
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描述:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor,GaN,DC-3000MHz
7325
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描述:
TMOS宽带射频功率场效应管 TMOS BROADBAND RF POWER FET
6087
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描述:
线性射频功率场效应管30W ，为175MHz时， 50V Linear RF Power FET 30W, to 175MHz, 50V
6528
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描述:
氮化镓对SiC耗尽型晶体管技术 GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology
9484
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描述:
氮化镓对SiC D模式晶体管技术共源配置 GaN on SiC D-Mode Transistor Technology Common-Source Configuration
8761
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描述:
TRANSISTOR GAN 3.5GHz 15W
8086
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描述:
Wide Band Medium Power, 0MHz Min, 6000MHz Max, ROHS COMPLIANT, SOT-89, 3Pin
7808
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描述:
Wide Band Medium Power, 0MHz Min, 6000MHz Max, ROHS COMPLIANT, SOT-89, 3Pin
5065
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描述:
Trans JFET N-CH 100V 5.4A GaN 3Pin AC200BM-F
6904
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描述:
MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
3236
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描述:
射频功率场效应管300W ， 175MHz的， 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28V
9847
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描述:
射频MOSFET线150W ，为500MHz ， 28V The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V
7605
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描述:
氮化镓HEMT的SiC功率晶体管共源配置 GaN on SiC HEMT Power Transistor Common-Source configuration
9216
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描述:
氮化镓HEMT脉冲功率晶体管3.1 - 3.5 GHz频段，峰值120W ， 300US脉冲， 10 ％占空比 GaN HEMT Pulsed Power Transistor 3.1 - 3.5 GHz, 120W Peak, 300us Pulse, 10% Duty
3782
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描述:
氮化镓对SiC耗尽型晶体管技术内部匹配 GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology Internally Matched
3427
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描述:
氮化镓对SiC耗尽型晶体管技术内部匹配 GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology Internally Matched
5196
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描述:
氮化镓HEMT脉冲功率晶体管2.7 - 3.1 GHz的峰值30W ， 500US脉冲，占空比为10％ GaN HEMT Pulsed Power Transistor 2.7 - 3.1 GHz, 30W Peak, 500us Pulse, 10% Duty Cycle
9545
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描述:
N沟道MOS宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
8296
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描述:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN
8934
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描述:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor, 45W, DC-4.0 GHz
1669
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描述:
MOSFET宽带射频功率场效应管 MOSFET BROADBAND RF POWER FET
9902
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描述:
宽带RF TMOS® 2W ，为500MHz ， 28V The Broadband RF TMOS® 2W, 500MHz, 28V
8671
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